Samsung начала производство DRAM чипов на 4 Гб

Samsung начала производство DRAM чипов на 4 Гб

Сегодня компания Samsung выпустила официальный пресс-релиз, в котором объявила о начале производства новых чипов DRAM (оперативной памяти) для мобильных устройств объёмом 4 гигабита (0,5 гигабайта). Как и обычно, подобные разработки направлены на увеличение производительности устройств и скорости их работы.

Samsung начала производство DRAM чипов на 4 Гб

Новые чипы ОЗУ типа LPDDR3 производятся по 20-нанометровому техпроцессу, что, по обещаниям Samsung, сделает их быстрее и энергоэффективнее, чем предыдущие поколения. Так, максимальная скорость обмена информацией достигнет 2133 мегабит в секунду на контакт, в то время как в LPDDR2 чипах максимум составляет всего 800 мегабит в секунду. Такая скорость делает возможной передачу трёх FullHD видео общим объёмом 17 ГБ всего за одну секунду. В то же время, благодаря новому техпроцессу, энергопотребление должно уменьшиться на 20%.

Используя четыре новых чипа Samsung производители смогут устанавливать в свои топовые смартфоны 2 ГБ оперативной памяти, причём, общая толщина микросхем составит всего 0,8 миллиметров. Пока южнокорейская компания не делится планами о том, в каких собственных устройствах будет использовать новую оперативную память, но, учитывая предыдущие слухи, можно предположить, что Samsung решит скомбинировать шесть таких чипов в Galaxy Note III, который может получить 3 ГБ ОЗУ. Если это действительно так, то первые устройства, в которых можно будет найти последнюю разработку компании, появятся уже осенью — мы многого ждём от выставки IFA 2013 в Берлине.

Источник: engadget.com

Show More
Добавить комментарий